看成存储芯片范围的非常企业九游会欧洲杯，SK海力士正加速推广其产能，以欣慰行业日益高潮的芯片需求。公司近期正筹备全新技艺，力求进一步提高迁移及边际确立上的AI责任负载处置才气。

据多家韩国媒体报说念，SK海力士正在研发新式谋略机内存，以加速土产货AI运算。这项名为高带宽存储（HBS）的新技艺，是此前高带宽闪存（HBF）决策的拓展，将迁移DRAM和NAND闪存组件合并于归并确立，专为智高手机、平板等迁移确立的AI负载提速而想象。该芯片最多可垂直堆叠16层DRAM与NAND，通过私有的垂直导线扇出结构（VFO）终了层间互连。

SK海力士早前已在Apple Vision Pro家具中汲取VFO DRAM，但HBS技艺则进一步整合了NAND闪存。公司2023年发布时强调，VFO不仅提高封装限度，还改善散热和芯片体积缩减。与传统弯导线协调样貌比较，VFO可将层间电子传输空间需求减少4.6倍，举座能效提高4.9%，散热提高1.4%，芯片厚度减至传统决策的73%。

与和SanDisk合营征战的HBF技艺不同，HBS无需穿硅通孔（TSV），制造设施更简化，良品率更高，分娩资本更低，故意于在半导体行业无为践诺。

新式DRAM+NAND堆叠模块将成功与诈欺处置器（AP）共封装，显赫提高智高手机及SoC结尾的数据处置速率。SK海力士这次翻新，计算是进一步鼓励迁移端AI性能提高。天然具体推崇尚有待践诺老师九游会欧洲杯，公司沟通于2029年至2031年端庄发布该项技艺。当今由于2026年新一代芯片销售火爆，SK海力士产能已出现垂危。